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超高電圧トランジスタの発売

2020/06/05

超高電圧トランジスタの発売

 バッファロー大学の研究チームは、新しい形式のパワーMOSFETトランジスタを開発しました。このトランジスタは、最小の厚さで非常に高い電圧を処理できるため、電気自動車のパワーエレクトロニクスコンポーネントの効率を向上させることができます。 MOSFETは、さまざまな家電製品、特に自動車用電子機器の分野で非常に一般的なコンポーネントです。

  パワーMOSFETは、高電力負荷を処理するために特別に設計されたスイッチです。このようなスイッチは毎年約500億個出荷されています。実際、これらは電圧制御スイッチとして使用できる3本足の平らな電子部品です。彼らは非常に迅速に高出力電子機器をオン/オフすることができ、電気自動車の不可欠な部分です。

  バッファロー大学のチームは、薄紙のトランジスタを使用して非常に高い電圧を処理する方法を研究したと主張しました。バッファローチームは、非常に薄い厚さで非常に高い電圧を処理できるMOSFETを開発することで、Workが電気自動車、機関車、航空機、マイクログリッドテクノロジー、および場合によってはソリッドステートトランスなどの小型で効率的なパワーエレクトロニクスデバイスに貢献できることを期待しています。